6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征

• 作者: 李连碧 赵萌 陈治明 高战军 黄磊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热壁LPCVD 多晶Si薄膜 择优取向 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 1965-1969
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2308字
• 语种: 中文

摘要

在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征.结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大.XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向.Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶ SiH4 =400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明		83	498	11.0	18.0
2	高战军		1	3	1.0	1.0
3	李连碧		9	19	3.0	3.0
4	赵萌		7	50	3.0	7.0
5	黄磊		3	3	1.0	1.0