6H-SiC衬底上InN单晶薄膜的RF-MBE生长

• 作者: 吴国光 李万程 杜国同 沈春生 马艳 高福斌
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 氮化铟 碳化硅 光电子能谱 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1247-1251
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 1793字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟(InN)薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α’=852.76 eV和Wagner图,InN的铟氮质量比为1.19;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明,外延InN为网状结构,表面无铟滴；X射线衍射测试表明,薄膜为单一c轴择优取向生长,其摇摆曲线半高宽为32.6弧分；室温光致发光峰中心位于1575 nm处.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马艳	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	10	24	4.0	4.0
2	高福斌	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	8	24	4.0	4.0
3	杜国同	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	41	204	8.0	13.0
4	沈春生	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	0	0.0	0.0
5	吴国光	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	2	0	0.0	0.0