蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN RF-MBE生长 极性控制 螺旋位错
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 319-323
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.002

摘要

近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率.本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺旋位错的降低.在充分氮化的蓝宝石衬底上直接生长GaN,使GaN的极性控制为N-极性,并用高温生长的AlN核化层实现GaN的Ga-极性.对于N-和Ga-极性的GaN这两种情况,高温生长的AlN中间迭层的引入,可以有效地抑制螺旋位错的扩散.位错的降低使GaN的室温电子迁移率得到提高,对于Ga-极性的GaN,其值为332cm2/V·s;而对于N-极性的GaN,其值为688cm2/V·s.