蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低

• 作者: 张书明 朱建军 杨辉 王建峰 王辉 赵德刚 陈俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 GaN 侧向外延 位错
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 419-424
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.007

摘要

采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	王辉	中国科学院半导体研究所	215	3061	28.0	49.0
3	陈俊	中国科学院半导体研究所	43	745	14.0	27.0
4	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
5	王建峰	中国科学院半导体研究所	15	36	3.0	5.0
6	张书明	中国科学院半导体研究所	11	20	3.0	4.0
7	朱建军	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0