蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

• 作者: 苑进社 陈光德
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4218-4223
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 4190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.096

摘要

在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5 ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14 ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院	65	517	13.0	18.0
2	苑进社	重庆师范大学物理学与信息技术学院	11	129	5.0	11.0