斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究

• 作者: 刘子扬 吕玲 张进成 林志宇 薛军帅 薛晓咏 许晟瑞 郝跃 马俊彩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 斜切衬底 透射电子显微镜。位错
• 年，卷（期）: 2012,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 343-348
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD技术在斜切角度为0．3。的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析．研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中，位错在距离衬底0．8um附近大量湮灭，同时位错扎堆出现．基于上述现象，提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制，解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因．