原文服务方: 材料研究与应用       
摘要:
采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0.6 Ga0.4 N 薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.
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关键词热度
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文献信息
篇名 AlN/蓝宝石模板上生长的 Al 0.6Ga0.4N薄膜结构与光学性能研究
来源期刊 材料研究与应用 学科
关键词 相分离 AlN/蓝宝石模板 Al0.6Ga0.4N
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 169-172
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 语种 中文
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相分离
AlN/蓝宝石模板
Al0.6Ga0.4N
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材料研究与应用
季刊
1673-9981
44-1638/TG
大16开
广东省广州市天河区长兴路363号广东省科学院科技创新园综合楼3楼
1991-01-01
中文
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1697
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