生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

• 作者: 李连碧 陈治明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCGe薄膜 低压化学气相沉积 生长温度 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 373-377
• 分类号: O484.1|O482.31
• 字数: 2304字
• 语种: 中文

摘要

利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜.通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响.结果表明:生长温度为980,1 030,1 060℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31 eV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对SiCGe薄膜带隙的调节作用.同时,对SiCGe薄膜进行了变温PL测试,发现当测试温度高于200 K时,发光峰呈现出蓝移现象.认为这是不同机制参与发光所造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	李连碧	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	3.0