6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

• 作者: 徐现刚 李娟 李现祥 王丽 王继扬 胡小波 董捷 蒋民华 韩荣江
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC单晶 表面生长形貌 生长台阶 韵律束合现象
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 335-338
• 页数: 4页
• 分类号: O781
• 字数: 2160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.013

摘要

利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300～700nm,台面宽度较小,约2～5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲.