基于同步辐射白光形貌术和 X 射线迹线法的6H-SiC 单晶结构缺陷研究

• 作者: 胡小波
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 工学
• 关键词: 基本螺位错 基平面弯曲 6H-SiC 单晶 同步辐射白光形貌术 X射线迹线法
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料加工、性能与微结构模拟
• 页码范围: 457-461
• 页数: 5页
• 分类号: TG111.2
• 字数: 3014字
• 语种: 中文

摘要

【目的】SiC 材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节，因此本文对6H-SiC 单晶中的结构缺陷进行研究。【方法】采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC 单晶中的基本螺位错和基平面弯曲，并利用 X 射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。【结果】6H-SiC 单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错，它的形貌特征为白色的圆斑；由于热弹应力的存在，6H-SiC 单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲，结果导致衍射斑点的形状发生改变。【结论】同步辐射白光形貌术和 X 射线迹线法可以用于检测6H-SiC 单晶结构缺陷；样品的基本螺位错密度为1．56×104／cm2，基平面弯曲半径近似为1 m。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0