以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

• 作者: 彭燕 徐现刚 李娟 胡小波 蒋民华 陈秀芳 高玉强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 升华法 SiC单晶 微管 层错
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 287-290
• 分类号: O771
• 字数: 2355字
• 语种: 中文

摘要

本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娟	山东大学晶体材料国家重点实验室	127	921	17.0	26.0
2	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
3	蒋民华	山东大学晶体材料国家重点实验室	109	811	14.0	23.0
4	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
5	彭燕	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	23	4.0	4.0
6	高玉强	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	15	3.0	3.0
7	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0