沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

• 作者: 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 王继杨 王英民 胡小波 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 升华法 SiC 微管 多型
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O771|O782
• 字数: 1853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.004

摘要

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.