6H-SiC γ辐照的正电子研究

• 作者: 王海云
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子 缺陷 半导体
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN301
• 字数: 1577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2008.06.007

摘要

用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究.实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc.对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用.这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海云	南京邮电大学数理学院	15	35	4.0	4.0