电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

• 作者: Beling C D 余洲 冯汉源 凌志聪 徐士杰 杨治美 王鸥 钟志亲 陈旭东 龚敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 辐照 LTPL 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.003

摘要

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
2	钟志亲	四川大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
3	王鸥	四川大学物理科学与技术学院	2	8	1.0	2.0
4	余洲	四川大学物理科学与技术学院	3	17	2.0	3.0
5	杨治美	四川大学物理科学与技术学院	11	32	3.0	5.0
6	徐士杰	香港大学物理系	4	7	2.0	2.0
7	陈旭东	香港大学物理系	2	1	1.0	1.0
8	凌志聪	香港大学物理系	2	1	1.0	1.0
9	冯汉源	香港大学物理系	4	7	1.0	2.0
10	Beling C D	香港大学物理系	2	7	1.0	2.0