中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应

• 作者: 张宇晖 张守超 李文润 王丹丽 贾敏 阮永丰 马鹏飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 中子辐照 辐照缺陷 钉扎
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1309-1312,1319
• 页数: 5页
• 分类号: O774
• 字数: 3617字
• 语种: 中文

摘要

分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10~(18) n· cm~(-2)、8.2×10~(18) n· cm~(-2)和1.72×10~(19) n· cm~(-2)的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤.结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品.样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构.晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰	天津大学理学院	57	357	11.0	14.0
2	马鹏飞	天津大学理学院	9	44	5.0	6.0
3	李文润	天津大学理学院	19	141	8.0	10.0
4	张守超	天津大学理学院	9	70	6.0	8.0
5	王丹丽	天津大学理学院	9	47	4.0	6.0
6	贾敏	天津大学理学院	4	28	3.0	4.0
7	张宇晖	天津大学理学院	4	19	3.0	4.0