a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

• 作者: 刘贵昂 王天民 谢二庆
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: a-SiC:H薄膜 中子辐照 非晶碳 石墨化
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 271-274
• 页数: 4页
• 分类号: O774
• 字数: 2177字
• 语种: 中文

摘要

用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照.采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征.分析结果表明:所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳.随着中子辐照剂量的增加,a-SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势.中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
2	谢二庆	兰州大学物理系	84	371	11.0	14.0
3	刘贵昂	湛江海洋大学理学院	7	31	2.0	5.0