γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

• 作者: 刘贵昂 王天民
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: a-SiC:H薄膜 γ射线辐照 Raman与IR光谱 结晶 红外透过率
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 939-942
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2397字
• 语种: 中文

摘要

采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8×104 Gy.采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律.研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空穴中的电子会被激发,a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω*cm;薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si-O-Si键断裂而产生的Si取代膜中C-C键中的C而形成晶态SiC,在此过程中出现了Si-O-Si键及a-SiC:H的减少,晶态SiC的增加.经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低,折射率从5.19增大到5.53,辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率.在500～2 300 cm-1(对应波长为20.00～5.29 μm)波段内,a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
2	刘贵昂	湛江师范学院物理系	11	61	4.0	7.0