电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究

• 作者: Beling C D Fung S Shan Y Y 张伶俐 邓爱红
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 正电子捕获 正电子寿命 电子辐照 碳化硅(SiC)
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 348-353
• 页数: 6页
• 分类号: O571.23|O472
• 字数: 3903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2004.02.027

摘要

在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺陷位置的被捕获.根据模型拟合正电子寿命谱数据后得到:在原生的SiC中,正电子最可能被碳空位和碳的双空位所捕获,经估算其浓度分别为1.1×1017cm-3和3.0×1016cm-3;在辐照后的SiC中,正电子最可能被碳的双空位,硅空位或硅空位的杂合态所捕获,经估算其浓度分别为9.8×1016cm-3和5.4×1016cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学应用物理系	26	66	5.0	6.0
2	张伶俐	四川大学应用物理系	101	1231	18.0	31.0
3	Beling C D	香港大学物理系	2	7	1.0	2.0
4	Shan Y Y	香港大学物理系	1	7	1.0	1.0
5	Fung S	香港大学物理系	1	7	1.0	1.0