6H-SiC表面热氧化SiO_2的正电子谱研究

• 作者: 王海云 翁惠民 袁菁 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 慢正电子湮灭多普勒展宽谱 6H-SiC SiO_2 空位型缺陷 退火工艺
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 331-334
• 页数: 4页
• 分类号: O411
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2010.02.022

摘要

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO_2特性的研究.S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO_2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变.通过与SiO_2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO_2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO_2/SiC中氧化层的致密性.实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO_2特性的有效手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
2	袁菁	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	8	14	3.0	3.0
3	王海云	中国科技大学近代物理系	2	1	1.0	1.0
4	翁惠民	中国科技大学近代物理系	1	1	1.0	1.0