6H-SiC反型层电子库仑散射

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 反型层迁移率 库仑散射 Monte Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 154-157
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.02.006

摘要

提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型，并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性．对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟，模拟结果和实验值相符．模拟结果表明，当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强，库仑电荷密度和分布也对反型层迁移率有着重要影响．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0