6H-SiC反型层电子迁移率的Monte Carlo模拟

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC Monte Carlo模拟 散射 库仑电荷
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 157-159
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 3750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.004

摘要

用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟，在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型，该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.MonteCarlo模拟的结果表明，当表面有效横向电场高于1.5×105V/cm时，表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用，而当有效横向电场小于该值时，沟道散射以库仑散射为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0