n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型

• 作者: 屈汉章 杨银堂 王平
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 中性杂质散射 补偿率
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 538-542,584
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 3842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.04.012

摘要

采用解析模型,对n型4H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	王平	西安电子科技大学微电子研究所	32	201	9.0	12.0
3	屈汉章	西安邮电学院信息与控制系	27	91	5.0	8.0