4H-SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应

• 作者: 宋庆文 张义门 张玉明 汤晓燕 韩超
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC PIN二极管 正向直流特性 数值仿真 各向异性迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米科学和介观物理
• 页码范围: 138-143
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.4
• 字数: 3944字
• 语种: 中文

摘要

对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算.对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好.研究表明,实际制造的4H-SiC PIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	144	7.0	11.0
4	宋庆文	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	30	2.0	5.0
8	韩超	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	15	2.0	2.0