4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 反型层 迁移率 库仑散射
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 42-46
• 分类号: TN386
• 字数: 3803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2011.01.007

摘要

提出了一种基于物理的4H-SiC n-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移率模型的参数与界面粗糙度之间的数值关系.模拟结果表明:库仑散射机制主要在近表面处起作用;随着栅电压增大,表面粗糙散射所起的作用逐渐显著;较高掺杂的SiC MOSFET表面粗糙散射成为限制反型层迁移率的最主要散射机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	144	7.0	11.0