应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

• 作者: 刘红侠 卢凤铭 李劲 李斌 袁博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si/SiGe 电子迁移率 反型层 模型
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 563-567
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

为了描述生长在弛豫Si1-xGe,层上应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该模型与已报道的实验数据结果相符合.同时该模型能够被嵌入到ISE模拟器中,获得与原模拟器内置模型相一致的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	李斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	235	9.0	14.0
3	袁博	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	48	4.0	6.0
4	李劲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0
5	卢凤铭	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0