基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型

• 作者: 周求湛 张新发 徐建生
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闪烁(1/f)噪声 迁移率波动 载流子数量波动 统一的1/f噪声模型 MOSFETs
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1192-1195
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.08.026

摘要

统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理分析的研究表明,统一的1/f噪声模型对处于线性区p-MOSFET不能进行正确的描述:当偏置电压Vgs增加时,该模型低估了噪声功率的增加.据此,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF)1/f 噪声模型,并给出了新MF模型与统一的1/f噪声模型在线性区的仿真结果.从仿真结果可以看出,新噪声模型更接近于测试的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周求湛	吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系	37	162	7.0	11.0
2	徐建生	吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系	3	12	2.0	3.0
3	张新发	吉林大学通信工程学院测控及通信仪器系	3	5	2.0	2.0