界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 郜锦侠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 界面态 反型层迁移率 场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 830-833
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.04.011

摘要

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所	24	144	7.0	11.0
4	郜锦侠	西安电子科技大学微电子研究所	8	42	3.0	6.0