SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究

• 作者: 周郁明 王兵 穆世路 蒋保国 陈兆权
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 载流子迁移率 电流应力 界面态电荷 泄漏电流 碳化硅MOSFET
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 947-953
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1|TN386.6
• 字数: 4892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.06.021

摘要

碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率.利用该模型讨论了SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间.随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兵	安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室	18	16	2.0	3.0
2	周郁明	安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室	15	19	2.0	3.0
3	蒋保国	安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	陈兆权	安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室	10	13	2.0	3.0
5	穆世路	安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室	1	0	0.0	0.0