引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型

• 作者: 戴振清 杨克武 杨瑞霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 激发态 SiC MOSFET 反型层电荷模型
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1164-1167
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.010

摘要

引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	戴振清	河北工业大学信息工程学院	9	21	2.0	4.0
6	杨克武	河北工业大学信息工程学院	9	17	2.0	4.0