界面SiO2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响

• 作者: 王涛
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅/铝复合材料 界面 热膨胀系数
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 71-75
• 页数: 5页
• 分类号: TB33
• 字数: 2429字
• 语种: 中文

摘要

用无压浸渗的方法制备了高体积分数的SiC/Al复合材料.通过改变SiC预制样品的烧结工艺来改变SiC和Al的界面状况,分析了SiC表面SiO2层的变化对SiC/Al复合材料的热膨胀系数的影响.用无压浸渗的方法可得到常温下热膨胀系数为(5.68～7.12)×10-6/K的SiC/Al复合材料.颗粒大小一定时,复合材料的热膨胀系数随着SiO2界面层的厚度增加而减小.当界面SiO2层厚度从45 nm增加到2100 nm时,常温下热膨胀系数从7.12×10-6/K减小到5.68×10-6/K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王涛	西安科技大学材料系	61	435	11.0	16.0