n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型

• 作者: 屈汉章 杨燕 杨银堂 王平 贾护军
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性 小信号参数 解析模型 界面态电荷
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 89-93
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.01.020

摘要

基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H-SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器件工作区.当漏偏压为0.05V、栅压为1.9V时,模拟得到的最大跨导值为54μS.模拟结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点,非常适于SiC器件以及电路研究使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	杨燕	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
4	王平	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	32	201	9.0	12.0
5	屈汉章	西安邮电学院应用数理系	27	91	5.0	8.0