4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 雪崩击穿 直接隧穿 解析模型 最大功率密度
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 页码范围: 771-774
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.06.013

摘要

基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响.利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性.采用MATLAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	吕红亮	西安电子科技大学微电子研究所	18	88	5.0	9.0