4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 二极管 击穿特性 隧穿效应 碰撞离化 模型
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2541-2546
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.034

摘要

基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	吕红亮	西安电子科技大学微电子所	18	88	5.0	9.0