一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型

• 作者: 张义门 张玉明 曹全君
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 大信号 解析模型 射频
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1148-1151
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.006

摘要

提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改进模型,沟道长度调制系数和饱和电压系数采用了栅源电压的一次函数建模;大信号电容模型采用电荷-电压(Q-V)的电容积分形式.该大信号模型已经应用在CAD工具中.模拟结果与实验结果符合良好,模型的有效性得到验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	曹全君	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	6	1.0	2.0