4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

• 作者: 张义门 张玉明 王雷 盛立志
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 金属-半导体场效应晶体管 高频小信号 特征频率
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 825-828
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.06.002

摘要

建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率fT以内得到了较为满意的结果.分析了不同的栅长、栅漏间距、不同的沟道掺杂以及温度变化对SiC MESFET特征频率fT的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	王雷	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0
4	盛立志	西安电子科技大学微电子研究所	1	9	1.0	1.0