4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

• 作者: 周春华 罗小蓉 邓小川 陈壮梁 黄何
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET,表面陷阱,直流特性,瞬态特性
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 微电子科学与器件
• 页码范围: 43-45,56
• 页数: 4页
• 分类号: TN305|TP391.9
• 字数: 2065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2006.z1.015

摘要

分析了表面陷阱对4H-SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响.在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散.表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应.该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓小川		11	258	5.0	11.0
2	周春华		5	5	2.0	2.0
3	罗小蓉		18	62	5.0	7.0
4	陈壮梁		3	3	1.0	1.0
5	黄何		2	3	1.0	1.0