4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取

• 作者: 吕红亮 孙明 张义门 张玉明 车勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基接触 表面态 器件模型
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 458-460
• 页数: 3页
• 分类号: TN311
• 字数: 989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.011

摘要

研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2·eV-1和8.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	车勇	武警工程学院军械运输系	8	6	2.0	2.0
4	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	18	88	5.0	9.0
5	孙明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	3	17	1.0	3.0