陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 王悦湖 车勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MESFET 自热效应 深能级陷阱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 334-337
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 2419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.027

摘要

针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	车勇	武警工程学院军械运输系	8	6	2.0	2.0
4	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	18	88	5.0	9.0
5	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	10	20	2.0	4.0