考虑量子效应的FinFET栅电容物理模型研究

• 作者: 于肇贤 殷树娟 高歌
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: FinFET 量子效应 栅电容 物理模型
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理,通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构,通过MATLAB仿真出栅电容随栅电压变化的特性曲线,与理想状态对比得到在反型状态量子效应会使栅电容增大的结论,量子电容成为影响栅电容大小的主导因素,同时分析了不同状态下决定栅电容的因素,仿真了不同拟合参数对特性曲线的影响,为改善晶体管栅电容线性度的研究提供理论依据,提出的栅电容模型对基于FinFET结构的电路设计研究具有了现实意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于肇贤	北京信息科技大学理学院	44	43	3.0	4.0
2	殷树娟	北京信息科技大学理学院	38	111	5.0	9.0
3	高歌	北京信息科技大学理学院	3	0	0.0	0.0