量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响

• 作者: 代月花 孙家讹 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子效应 阈值电压 栅电容 反型层 表面势
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2004.06.009

摘要

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
4	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0