FinFET器件在极低温下特性研究

• 作者: 刘军 吴钰鑫 汪国芳 罗琳
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: FinFET 极低温 直流特性 射频特性
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 13-17,58
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2020.05.003

摘要

研究FinFET器件在极低温下DC和RF特性.在低温测试台中,5组不同温度(77 K,120 K,200 K,250 K,300 K)下,将4对体硅FinFET器件进行在片测试.对测试得到的射频参数进行open-short去嵌处理,对处理后的数据进行对比分析.和器件工作在室温(300 K)相比,器件工作在77 K下,阈值电压升高了近75 mV,亚阈值斜率降低了50％,截止频率和最大振荡频率都提升了20％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军		30	47	4.0	6.0
2	汪国芳		2	0	0.0	0.0
3	吴钰鑫		2	0	0.0	0.0
4	罗琳		2	0	0.0	0.0