低温下功率MOSFET的特性分析

• 作者: 丘明 冯之钺 张玉林 胡高宏 齐志平
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 功率MOSFET 低温 阈值电压 通态阻抗
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 页码范围: 48-50,54
• 页数: 4页
• 分类号: TN6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.08.012

摘要

文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显.通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉林	中国科学院电工研究所	17	23	3.0	4.0
2	丘明	中国科学院电工研究所	20	74	5.0	8.0
3	冯之钺	中国科学院电工研究所	7	176	4.0	7.0
4	胡高宏	中国科学院电工研究所	4	6	2.0	2.0
5	齐志平	中国科学院电工研究所	1	3	1.0	1.0