粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响

• 作者: 卫建林 张贺秋 毛凌锋 穆甫臣 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 粗糙度 直接隧穿 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1143-1146
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.012

摘要

研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子所	7	19	3.0	4.0
5	穆甫臣	北京大学微电子所	7	14	2.0	3.0
6	张贺秋	北京大学微电子所	6	20	3.0	4.0