利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究

• 作者: 杨国勇 段小蓉 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿 MOS器件 比例差分算符
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1146-1153
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 1100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.004

摘要

给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
4	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0
5	段小蓉	北京大学微电子学研究所	9	26	3.0	5.0