一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型

• 作者: 许铭真 谭长华 赵要
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1264-1268
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.022

摘要

对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学系	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学系	52	102	5.0	7.0
3	赵要	北京大学微电子学系	7	17	1.0	4.0