小尺寸器件栅隧穿电流预测模型

• 作者: 吴铁峰 张鹤鸣 胡辉勇
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 器件仿真 栅隧穿电流模型 栅氧化层 积分法 小尺寸器件
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 312-316
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.031

摘要

针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势.使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	吴铁峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	75	110	5.0	6.0