一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式

• 作者: 张贺秋 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接隧穿电流 nMOSFET 超薄
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 516-519
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.007

摘要

建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层厚度小,其偏差在0.3nm范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	张贺秋	北京大学微电子学研究所	6	20	3.0	4.0