重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

• 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiGe材料 应变 带隙收缩(BGN) Jain-Roulston模型
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6654-6659
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.081

摘要

硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	24	77	6.0	7.0