低温外延生长应变SiGe材料研究

• 作者: 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 黄大鹏
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe材料 化学气相淀积 紫外光 超高真空 超低压
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 8-10,14
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.04.003

摘要

采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料.讨论了应变SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系,给出了应变SiGe材料的X射线衍射分析结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子研究所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子研究所	102	510	12.0	16.0
4	黄大鹏	西安电子科技大学微电子研究所	3	6	2.0	2.0