非对称双轴张应变对锗能带的影响

• 作者: 戴中华 李晓娣 胡丽娟 谢耀平 钱一辰 马海涛
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Ge 双轴张应变 能带结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 245-256
• 页数: 12页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.167101

摘要

采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿(101)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿(111)面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的应变Ge带隙值都与应变前后拉伸面面积变化大小成反比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡丽娟	上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室	9	2	1.0	1.0
2	谢耀平	上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室	13	3	1.0	1.0
3	戴中华	上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	钱一辰	上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	李晓娣	上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室	2	1	1.0	1.0